安世半導(dǎo)體推出靜電放電保護(hù)二極管件 用于高速數(shù)據(jù)線中重定時(shí)器信號(hào)中繼

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護(hù)二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時(shí)器和信號(hào)中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護(hù)USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計(jì)，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢(shì)于一身。

重定時(shí)器和信號(hào)中繼器是設(shè)計(jì)高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會(huì)意外地降低整體系統(tǒng)級(jí)ESD穩(wěn)健性。PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF較低的超快傳輸線路脈沖(vfTLP)峰值鉗位電壓，甚至低于標(biāo)準(zhǔn)I(V) TLP曲線中無(wú)明顯的觸發(fā)電壓的USB4保護(hù)解決方案。這有助于補(bǔ)償保護(hù)器件和重定時(shí)器之間減少的電感，從而提高整體系統(tǒng)級(jí)ESD穩(wěn)健性。為達(dá)到ESD的預(yù)算損耗建議值，這兩款器件均可提供超低插入損耗(10 GHz下為-0.29 dB)和回波損耗(10 GHz下為-20.6 dB)。與其他解決方案不同的是，電容不會(huì)隨工作電壓增加，可提供完整的RF性能直到反向截止電壓。

相較于其他ESD保護(hù)二極管件，PESD2V8Y1BSF和PESD4V0Y1BCSF可直接放置在所保護(hù)器件的連接器旁邊，因此可提供更大的設(shè)計(jì)靈活性。這意味著交流耦合電容也會(huì)受到保護(hù)。此外，它將大部分線路電感置于ESD保護(hù)和被保護(hù)器件之間，以優(yōu)化系統(tǒng)的ESD性能。Nexperia高級(jí)產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia通過(guò)提供盡可能降低ESD保護(hù)對(duì)總預(yù)算影響的器件，幫助設(shè)計(jì)工程師在預(yù)算有限的情況下，滿足高速USB4數(shù)據(jù)線的插入損耗和回波損耗要求。這兩款器件在優(yōu)化系統(tǒng)級(jí)ESD穩(wěn)健性和RF性能之間實(shí)現(xiàn)了出色的平衡。”

關(guān)鍵詞： 安世半導(dǎo)體 靜電放電保護(hù) 二極管件 高速數(shù)據(jù)線